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第8章場效電晶體－8-4E-MOSFET之結構特性及直流偏壓(3)

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簡介
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類型：影片

關鍵字：臨界電壓、歐姆區、夾止飽和區、截止區

製作者：國家教育研究院、教育部國民及學前教育署、台達文教基金會

授權方式：創用CC-姓名標示-非商業性-禁止改作3.0臺灣

製作年份：2016

核心素養：

說明：
1. 講解E-MOSFET特性曲線
2. 利用VGD及VGS判斷E-MOSFET操作在哪種工作區

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